一、hmos是什么意思
hmos是缩写,有以下几种: high-performance metal-oxide-semiconductor 高性能金属氧化物半导体;
high-density metal-oxide-semiconductor 高密度金属氧化物半导体;
high-speed metal-oxide-semiconductor 高速金属氧化物半导体;
horizontal switching metal-oxide-semiconductor 水平开关金属氧化物半导体。
二、半导体中的STI是什么意思
shallow trench isolation浅沟道隔离特点:能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。
一般在器件制作之前进行,热预算小。
STI技术工艺步骤:首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。
其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。
然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽。
最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化。
工艺复杂,需要回刻或者CMP
三、在半导体行业中用的Doping profile 对应中文意思是什么啊?
一般集成电路工艺里面会提到的,掺杂杂质分布曲线吧,有高斯分布和余误差分布等等。
四、半导体本征激发是什么意思
五、MOSFET和IGBT是什么意思?
MOSFET:金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
参考文档
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