一、IGBT输出特性曲线可分为那几个区 各有什么特点
1、截止区:IGBT不会开通,表现为无电流流过,且C/E电压为高;
2、线性区:IGBT为放大状态,C/E导通电压与电流成线性关系,这个区,损耗很大,应尽快跨过此区;
3、饱和区:IGBT饱和导通,电流上升至最大值,且导通压降很低,不随电流变化而变化

二、直流电源柜48v输出浮冲只有48v是什么原因
48V是充电器的额定电压,最大充电电压为59.2V。
2A是充电器的最大电流。
这个充电器可以给48V12AH电池组充电的。
电动车充电器一般为三段式充电模式,包括:1·第一阶段是恒流限压,比如给4812电池充电,电流值一般为1.8A,限压值为59.2V2·第二阶段是恒压限流,至电流降至跳灯电流值转下一步,恒压59.2V限流1.8A,至电流降至0.25A跳灯。
3·第三阶段是涓流浮充,也称保养充电,浮充电压55.2V限流0.25A,此阶段一般2~3小时后断电。

三、逆变焊机IGBT的还是MOS管的怎样区分
用万用表的二极管导通档测量管子的最右边一个脚与中间一个脚,如果从右脚到中间脚是导通的,则是MOS管(N-MOS的话是右边脚为正,中间脚为负,P-MOS的话是右边脚为负,中间脚为正),如果两个方向都不通就是IGBT。

四、为什么开关电源效率比线性稳压电源高那么多?
说说各自工作本质吧,简单点的。
1,线性电源: 半导体晶体管主要工作在放大状态,ce极电压较大,当电流大就损耗越大。
2,开关电源:半导体开关管主要工作在饱和状态,饱和导通时候,ce极(以晶体管为例,其他开关管等效变换)导通压降小,即使电流很大,整体损耗也偏小。
mos和igbt有由于饱和导通后,特性不一样,从损耗来看igbt主要用于大电流电源(忽略频率因素)总之,从上两种电源本质特性可以得出,线性电源主要用于小功率场合5w以下,开关电源用于大功率场合。
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五、那位大虾告诉下怎么区分IGBT的上桥壁和下桥壁,说详细点,谢谢了
你用万用表的二极管档打吧,IGBT的C E极间有续流二极管,上桥续流二极管阳极和下桥的阴极相接的。
如果你说的是整流部分也基本一样,一个表笔在接触不放另一个表笔打几个输入即可!

六、电焊机lgbt管工作原理?
电焊机之IGBT系列焊机工作原理 一、 功率开关管的比较 常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。
其中,晶闸管(可控硅)的开关频率最低约1000次/秒左右,一般不适用于高频工作的开关电路。
1、效应管的特点: 场效应管的突出优点在于其极高的开关频率,其每秒钟可开关50万次以上,耐压一般在500V以上,耐温150℃(管芯),而且导通电阻,管子损耗低,是理想的开关器件,尤其适合在高频电路中作开关器件使用。
但是场效应管的工作电流较小,高的约20A低的一般在9A左右,限制了电路中的最大电流,而且由于场效应管的封装形式,使得其引脚的爬电距离(导电体到另一导电体间的表面距离)较小,在环境高压下容易被击穿,使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。
2、IGBT的特点: IGBT即双极型绝缘效应管,符号及等效电路图见图11.1,其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。
但它可以通过大电流(100A以上),而且由于外封装引脚间距大,爬电距离大,能抵御环境高压的影响,安全可靠。

七、UPS中的整流器类型有IGBT和12脉冲,这两者在功能上有什么区别
IGBT不是整流器,它是开关元件。
逆变时用的。
12脉冲整流器是12个SCR(可控硅)构成的整流桥,把三相380整流成直流。

八、电焊机的IGBT是什么意思?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

九、将驱动信号加到IGBT端后,为什么信号波动很大
IGBT坏了。
或加的信号有问题或电源不稳

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